Výrobca Číslo produktu:
TSM60N600CI C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60N600CI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventár:
12900211
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60N600CI C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
743 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM60N600CIC0G
TSM60N600CI C0G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM2311CX-01 RFG
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
TSM60NB190CF C0G
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S
TSM160P02CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
